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Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Compara
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Puntuación global
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Puntuación global
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
31
En 16% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
11.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
31
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
11.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2305
2585
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
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