RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Compara
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Puntuación global
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
68
En -94% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
1,944.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
35
Velocidad de lectura, GB/s
3,973.0
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,944.9
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
673
3306
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
SK Hynix HMT41GU6MFR8C-PB 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link