RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Compara
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Puntuación global
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
68
En -94% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
1,944.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
35
Velocidad de lectura, GB/s
3,973.0
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,944.9
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
673
3306
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link