RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Compara
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Puntuación global
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
68
En -127% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
1,944.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,973.0
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,944.9
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
673
3283
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Mushkin 991586 2GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link