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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Compara
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Puntuación global
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Puntuación global
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
68
En -113% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
1,944.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
32
Velocidad de lectura, GB/s
3,973.0
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,944.9
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
673
2714
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
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