RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Compara
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Puntuación global
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Puntuación global
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
68
En -172% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
1,944.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
25
Velocidad de lectura, GB/s
3,973.0
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,944.9
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
673
2583
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link