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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Puntuación global
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
68
En -79% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
1,944.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
38
Velocidad de lectura, GB/s
3,973.0
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,944.9
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
673
2829
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965589-035.D00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
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