RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Compara
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Puntuación global
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Puntuación global
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
68
En -183% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
1,944.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
24
Velocidad de lectura, GB/s
3,973.0
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,944.9
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
673
3167
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R5316G1609U2K 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link