RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Compara
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Puntuación global
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
68
En -278% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
1,944.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
18
Velocidad de lectura, GB/s
3,973.0
20.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,944.9
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
673
3536
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link