RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
19.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
46
En -119% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
1,852.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
21
Velocidad de lectura, GB/s
5,535.6
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,852.4
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
3350
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1GS 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PEP22G6400LL 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link