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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
16.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
46
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
1,852.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
32
Velocidad de lectura, GB/s
5,535.6
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,852.4
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
2973
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
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