RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
19.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
46
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
1,852.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
23
Velocidad de lectura, GB/s
5,535.6
19.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,852.4
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
3964
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link