RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
18.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
46
En -70% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.7
1,852.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
27
Velocidad de lectura, GB/s
5,535.6
18.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,852.4
17.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
3956
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link