RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Puntuación global
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
17.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
46
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
1,852.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
29
Velocidad de lectura, GB/s
5,535.6
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,852.4
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
3113
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link