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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Puntuación global
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
17.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
46
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
1,852.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
29
Velocidad de lectura, GB/s
5,535.6
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,852.4
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
3113
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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