RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Puntuación global
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
14.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
46
En -64% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
1,852.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
28
Velocidad de lectura, GB/s
5,535.6
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,852.4
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
2361
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link