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takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Compara
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB vs Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Puntuación global
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
9.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
28
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
28
26
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
10.4
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
12800
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2504
2432
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
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Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
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