RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Compara
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB vs Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Puntuación global
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Puntuación global
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
54
En -135% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
1,952.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,586.7
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,952.2
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
704
3037
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair VS2GB800D2 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link