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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Compara
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Puntuación global
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Puntuación global
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
74
En 72% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR5
DDR4
Latencia en PassMark, ns
21
74
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
13.9
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3774
1616
Team Group Inc. UD5-6400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
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