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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Compara
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Puntuación global
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
39
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
8.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
38
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2376
2908
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
PNY Electronics 4GBH1X04F1AA28-15 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
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