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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
7.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
87
En -149% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
35
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
2237
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
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