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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
7.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
75
87
En -16% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
75
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
1717
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
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