RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
13.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
87
En -295% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
22
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
3162
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link