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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
8.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
87
En -295% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
22
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
2319
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R7416G2133U2S 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
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