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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
87
En -235% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
3783
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
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Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
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