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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
13.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
87
En -112% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
41
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
2870
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
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