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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
13.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
87
En -181% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
31
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
3126
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
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