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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
15.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
87
En -335% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
20
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
19.3
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
3327
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
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