RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
87
89
En 2% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
6.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
89
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
1518
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link