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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
13.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
87
En -149% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
35
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
3423
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
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