RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
8.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
87
En -235% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
2486
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Mushkin 996902 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link