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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
14.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
87
En -295% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
22
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
2995
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
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Kingston 9905630-063.A00G 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
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