RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
5.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
87
En -190% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
12.4
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
5.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
1758
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link