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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
6.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
87
En -149% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
35
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
2091
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
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