RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
7.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
87
En -314% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
21
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
7.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
2250
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CF8 2GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link