RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
14.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
87
En -263% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
24
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
3231
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link