RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
15.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
87
En -278% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
23
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
19.3
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
3964
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link