TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB

Puntuación global
star star star star star
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Puntuación global
star star star star star
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    3 left arrow 22.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    870.4 left arrow 16.4
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    32 left arrow 87
    En -172% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 5300
    En 4.02 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    87 left arrow 32
  • Velocidad de lectura, GB/s
    3,155.6 left arrow 22.6
  • Velocidad de escritura, GB/s
    870.4 left arrow 16.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    417 left arrow 3837
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones