RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
14.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
87
En -278% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
23
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
3260
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link