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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
15.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
87
En -295% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
5300
En 4.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
22
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
23400
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
3512
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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