RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
6.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
87
En -149% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.5
3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
35
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
9.5
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
6.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
1853
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link