RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
9.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
87
En -222% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
27
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
2071
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KX830D-ELC 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link