RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
13.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
87
En -200% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
3348
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Jinyu 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link