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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
12.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
87
En -164% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
33
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
2962
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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