RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
12.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
87
En -164% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
33
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
3285
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link