RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
9.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
87
En -235% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
2890
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link