RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
87
100
En 13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
100
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
1479
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64EP8
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Informar de un error
×
Bug description
Source link