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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
13.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
87
En -200% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
3076
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
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