RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
11.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
87
En -181% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
31
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
3154
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Mushkin 991586 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link