RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Compara
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Puntuación global
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
53
En -71% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
1,590.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
53
31
Velocidad de lectura, GB/s
3,726.4
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,590.1
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
522
2236
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link