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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Compara
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Puntuación global
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
53
En -112% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
1,590.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
53
25
Velocidad de lectura, GB/s
3,726.4
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,590.1
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
522
3187
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
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