RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Compara
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
53
En -83% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
1,590.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
53
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,726.4
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,590.1
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
522
3302
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link